Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPP086N10N3GXKSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

Część producenta: IPP086N10N3GXKSA1

Producent: IR (Infineon Technologies)

Opis: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

Kategoria: dyskretne produkty półprzewodnikowe

Rodzina: tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze

Seria: -

W magazynie: 0

Arkusze danych online: IPP086N10N3GXKSA1 PDF

IPP086N10N3GXKSA1 Ogłoszenie

Chimicron jest niezależnym dystrybutorem komponentów elektronicznych. Posiadamy niezawodne źródła komponentów elektronicznych, sprzedajemy tylko nowe i oryginalne produkty oraz oferujemy roczną gwarancję na nasze produkty. Kup IPP086N10N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies) na chimicron.com. Mamy już dostępne w magazynie części 0 IPP086N10N3GXKSA1. Prześlij zapytanie o IPP086N10N3GXKSA1 lub wyślij e-mail na adres [email protected], skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin.

Zapytanie

Spółka

Kontakt *

Telefon *

E-mail *

Kraj

Ilość *

Cena docelowa (USD)

Zawartość

Captcha

seria:OptiMOS™
pakiet:Tube
stan części:Active
typ fety:N-Channel
technologia:MOSFET (Metal Oxide)
napięcie dren-źródło (vdss):100 V
prąd - ciągły drenaż (id) @ 25°c:80A (Tc)
napięcie napędowe (maks. wł., min wł.):6V, 10V
rds na (max) @ id, vgs:8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (maks.) @ id:3.5V @ 75µA

opłata za bramkę (qg) (maks.) @ vgs:55 nC @ 10 V
bdb (maks.):±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:3980 pF @ 50 V
funkcja fet:-
rozpraszanie mocy (maks.):125W (Tc)
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:PG-TO220-3
opakowanie / etui:TO-220-3

Wysyłka	Okres dostawy	Szacuje się, że w przypadku części znajdujących się w magazynie wysyłka nastąpi w ciągu 3 dni. Zamówienia wysyłamy raz dziennie około godziny 17:00 oprócz niedzieli. Po wysłaniu szacowany czas dostawy zależy od wybranych przez Ciebie kurierów. DHL Express, 3-7 dni roboczych DHL eCommerce，12-22 dni robocze FedEx International Priority, 3-7 dni roboczych EMS, 10-15 dni roboczych Registered Air Mail, 15-30 dni roboczych
	Stawki wysyłki	Ceny wysyłki dla Twojego zamówienia można znaleźć w koszyku.
	Opcja wysyłki	Zapewniamy międzynarodową wysyłkę DHL, FedEx, UPS, EMS, SF Express i Registered Air Mail.
	Śledzenie wysyłki	Po wysłaniu zamówienia powiadomimy Cię e-mailem z numerem przesyłki. Numer śledzenia możesz również znaleźć w historii zamówień.

Zwrot/Gwarancja	Powracający	Zwroty są zwykle przyjmowane po zakończeniu w ciągu 30 dni od daty wysyłki. Prosimy o kontakt z obsługą klienta w celu uzyskania autoryzacji zwrotu. Części powinny być nieużywane iw oryginalnym opakowaniu. Klient ponosi koszty wysyłki.
Zwrot/Gwarancja	Gwarancja	Wszystkie zakupy są objęte 30-dniową polityką zwrotu pieniędzy oraz 90-dniową gwarancją na wszelkie wady produkcyjne. Niniejsza gwarancja nie obejmuje żadnego elementu, którego wady zostały spowodowane niewłaściwym montażem przez klienta, nieprzestrzeganiem instrukcji przez klienta, modyfikacją produktu, zaniedbaniem lub niewłaściwą obsługą

Rekomendacja dla Ciebie

Numer części	Opis	Magazyn	Cena jednostkowa
ZVNL120GTA Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223	W magazynie: 0	$0.98000
STB80NF10T4 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK	W magazynie: 426	$3.65000
IXTT11P50-TRL Wickmann / Littelfuse	MOSFET P-CH 500V 11A TO268	W magazynie: 1 200	$7.75490
2SK2463T100 ROHM Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3	W magazynie: 1 000	$0.72000
FQA8N90C Rochester Electronics	MOSFET N-CH 900V 8A TO3P	W magazynie: 3 863	$1.67000
RFB18N10CSVM Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	W magazynie: 0	$2.30000
NVB5860NLT4G Rochester Electronics	MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3	W magazynie: 4 040	$2.18000
UPA2721AGR-E1-AT Rochester Electronics	N-CHANNEL POWER MOSFET	W magazynie: 330 000	$0.75000
HUF76629D3S Rochester Electronics	MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA	W magazynie: 46 400	$0.70000
FDD9509L-F085 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 40V 90A DPAK	W magazynie: 7 500	$0.59444